| 发明名称 | 电介体膜、电介体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 通过附着铌酸纳米片的单层或者多层而得到电介质膜，另外在该电介质膜的表面上配置其他电极，构成电介质膜，得到电介质元件，由此提供即使在纳米领域也同时实现高介电常数和良好的绝缘特性的电介质元件。另外，完全排除制造工序中的热退火引起的基板界面的劣化和随之的组成偏差、电不一致性的课题、和薄膜化达到纳米水平时相对介电常数降低，漏电流增大的“尺寸效果”这样的本质问题，也可以提供活用铌酸纳米片具有的单独物性以及高组织、结构控制性、并且在不受基板界面劣化、组成偏差影响的低温下制造元件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102036918B | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN200980118276.7 | 申请日期 | 2009.05.25 |
| 申请人 | 独立行政法人物质·材料研究机构 | 发明人 | 长田实;佐佐木高义 |
| 分类号 | H01G4/10(2006.01)I;C01G33/00(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种电介质膜，其特征在于，为由NbO6八面体嵌段构成的纳米片的单层体或者其层叠体，膜厚为20nm以下，相对介电常数为50以上，所述纳米片由组成式TiNbO5‑d、Ti2NbO7‑d、Ti5NbO14‑d、Nb3O8‑d、Nb6O17‑d、TiNb1‑yTayO5‑d、Ti2Nb1‑yTayO7‑d、Ti5Nb1‑yTayO14‑d、(Nb1‑yTay)3O8‑d、(Nb1‑yTay)6O17‑d、Ti1‑zNbzO5、Ti2‑zNbzO7、Ti5‑zNbzO14中的任一个表示，其中，0＜y≤1；‑0.5≤z≤0.5，不包括z＝0；d为氧缺陷量，d＝0～2。 | ||
| 地址 | 日本茨城县 | ||