异质结构场效晶体管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种异质结构场效晶体管及其制作方法，其中所述晶体管的改良结构包括有基板、通道层、间格层、δ掺杂层、肖特基层、高能隙肖特基覆盖层、穿隧层、第一蚀刻终止层以及第一n型掺杂覆盖层。所述制作方法则包括以下步骤：使用第一蚀刻制程对n型掺杂覆盖层进行蚀刻，以形成第一开口；使用第二蚀刻制程对该第一蚀刻终止层进行蚀刻，以于第一开口正下方形成第二开口；使用第三蚀刻制程该穿隧层进行蚀刻，以于第二开口正下方形成第三开口。本发明晶体管的结构及其制备方法不但可以降低组件的导通电阻，亦可保持肖特基接触的高崩溃电压，同时又可维持组件制作的稳定性及可靠度。

主权项

一种异质结构场效晶体管，包括：一基板；一通道层，形成该基板上；一间格层，形成于该通道层上；一δ掺杂层，形成于该间格层上；一肖特基层，形成于该δ掺杂层上；一高能隙肖特基覆盖层，覆盖于该肖特基层上；一穿隧层，形成于该高能隙肖特基覆盖层上；一第一蚀刻终止层，形成于穿隧层上；一第一n型掺杂覆盖层，形成于该第一蚀刻终止层上；一源极电极，直接形成于该第一n型掺杂的覆盖层上，形成欧姆接触；一汲极电极，直接形成于该第一n型掺杂的覆盖层上，形成欧姆接触；以及一闸极电极，先经由蚀刻制程于高能隙肖特基覆盖层上形成一第一闸极凹槽，并使该闸极电极接触于该高能隙肖特基覆盖层，形成肖特基接触。