| 发明名称 | 氮化物半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 异质结场效应晶体管(1)的制造方法具备如下工序：在支撑基板(10)上外延生长漂移层(20a)的工序；使用氢气作为载气，在1000℃以上的温度下，在漂移层(20a)上外延生长作为p型半导体层的电流阻挡层(20b)的工序；以及使用从由氮气、氩气、氦气及氖气构成的群中选择的至少一种气体作为载气，在电流阻挡层(20b)上外延生长接触层(20c)的工序。由此，抑制了电流阻挡层(20b)的受主浓度不足，因此能够降低漏极泄漏电流，能够抑制夹断特性的下降。 | ||
| 申请公布号 | CN103329276A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201180065914.0 | 申请日期 | 2011.08.24 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 斋藤雄;冈田政也;上野昌纪;木山诚 |
| 分类号 | H01L29/80(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/80(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 谢丽娜;关兆辉 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体元件的制造方法，具备如下工序：在III族氮化物自立基板上外延生长第1氮化镓类半导体层的工序；使用氢气作为载气，在1000℃以上的温度下，在上述第1氮化镓类半导体层上外延生长作为p型半导体层的第2氮化镓类半导体层的工序；以及使用从由氮气、氩气、氦气及氖气构成的群中选择的至少一种气体作为载气，在上述第2氮化镓类半导体层上外延生长第3氮化镓类半导体层的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||