| 发明名称 | N型Ⅲ族氮化物基化合物半导体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及N型Ⅲ族氮化物基化合物半导体及其制造方法。本发明的一个目的是通过熔剂工艺来实现具有高电子浓度的高品质n型半导体晶体的制造。本发明的通过熔剂工艺制造n型Ⅲ族氮化物基化合物半导体的方法包括：利用熔剂来熔化至少Ⅲ族元素以制备熔体；对该熔体供给含氮气体；以及由该熔体在籽晶上生长n型Ⅲ族氮化物基化合物半导体晶体。在该方法中，将碳和锗溶于该熔体中，并且将锗作为施主引入该半导体晶体，由此制造n型半导体晶体。该熔体中锗对镓的摩尔百分比是0.05mol％至0.5mol％，并且碳对钠的摩尔百分比是0.1mol％至3.0mol％。 | ||
| 申请公布号 | CN101586253B | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN200910143035.X | 申请日期 | 2009.05.22 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社;日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学 | 发明人 | 永井诚二;山崎史郎;药师康英;佐藤峻之;岩井真;今井克宏;森勇介;北冈康夫 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B9/10(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;吴亦华 |
| 主权项 | 一种通过熔剂工艺制造n型III族氮化物基化合物半导体的方法，所述方法包括：通过利用熔剂来熔化至少III族元素以制备熔体；对所述熔体供给含氮气体；以及由所述熔体在籽晶上生长n型III族氮化物基化合物半导体晶体，其中所述III族元素包括镓，将碳和锗溶解于所述熔体中，所述熔体中锗对镓的摩尔百分比是0.05mol％至0.5mol％，所述熔剂包括钠，并且碳对钠的摩尔百分比是0.1mol％至3.0mol％，并且碳促进锗引入所述n型III族氮化物基化合物半导体晶体中，并且其中将锗作为施主引入所述半导体晶体，所生长的n型半导体晶体具有2×1017/cm3至1×1020/cm3的锗密度和5×1015/cm3或更低的碳密度，所述锗密度大于未在所述熔体中溶解碳来生长所述n型III族氮化物基化合物半导体晶体时的锗密度。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||