发明名称 |
离子源装置及离子束生成方法 |
摘要 |
本发明提供一种离子源装置及离子束生成方法。该离子源装置具备如下结构,即在具有等离子体形成用空间的电弧室设置阴极,并且以中间隔着所述等离子体形成用空间地与所述阴极的热电子放射面对置的方式配置反射极。构成为,向所述等离子体形成用空间沿与连结所述阴极和所述反射极的轴平行的方向施加由源极磁场装置感应的外部磁场,并构成为在所述反射极中,在与形成于所述等离子体形成用空间的等离子体中密度最高的部分相对应的部位设置开口部,从该开口部引出离子束。 |
申请公布号 |
CN103325648A |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201310091220.5 |
申请日期 |
2013.03.21 |
申请人 |
斯伊恩股份有限公司 |
发明人 |
佐藤正辉 |
分类号 |
H01J37/08(2006.01)I;H01J27/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/08(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
徐殿军;蒋巍 |
主权项 |
一种离子束生成用离子源装置,其特征在于,具备如下结构,该结构为,在具有等离子体形成用空间的电弧室设置放射用于生成使中性分子电离的射束电子的热电子的阴极,并且以中间隔着所述等离子体形成用空间地与所述阴极的热电子放射面对置的方式配置反射极,该离子束生成用离子源装置构成为,向所述等离子体形成用空间沿与连结所述阴极和所述反射极的轴平行的方向施加由源极磁场装置感应的外部磁场F,该离子束生成用离子源装置构成为,在所述反射极中,在与形成于所述等离子体形成用空间的等离子体中密度最高的部分相对应的部位设置开口部,并从该开口部引出离子束。 |
地址 |
日本东京都 |