发明名称 电平移位电路以及利用电平移位电路的半导体装置
摘要 一种电平移位电路以及利用电平移位电路的半导体装置。该电平移位电路用以当具有一第一电平的一数据输入信号存储于一锁存器后,通过一输出反相器输出具有一第二电平的一数据输出信号,其中上述电平移位电路包括,一电平设定电路,当上述输出数据信号具有一低电压电平时,根据上述输入数据信号的变化将上述输出数据信号设定为一低电压电平。上述电压电平电路耦接至一输出反相器的一输出端,且具有一漏极以及一源极耦接至接地端的一NMOS晶体管,且其中当上述输入数据信号为一高电压位时,上述NMOS晶体管导通。
申请公布号 CN103325419A 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN201210482802.1 申请日期 2012.11.23
申请人 力晶科技股份有限公司 发明人 小川晓
分类号 G11C19/00(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C19/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 周少杰
主权项 一种电平移位电路,用以当具有一第一电平的一数据输入信号存储于一锁存器后,通过一输出反相器输出具有一第二电平的一数据输出信号,其中上述电平移位电路包括:一电平设定电路,当上述输出数据信号具有一低电压电平时,根据上述输入数据信号的变化将上述输出数据信号设定为一低电压电平。
地址 中国台湾新竹科学工业园区