| 发明名称 | 热退火工艺 | ||
| 摘要 | 热退火工艺。提供一种加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量为25-1000kg/mol；应用共聚物组合物的薄膜至基材的表面；任选地，烘烤薄膜；在具有氧气浓度≤7.5ppm的气态气氛下在275-350℃加热该薄膜1秒至4小时；和，处理该退火了的薄膜以从该退火了的薄膜上除去聚(苯乙烯)和将该退火了的薄膜中的聚(二甲基硅氧烷)转换成SiOx。 | ||
| 申请公布号 | CN103319931A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201310201760.4 | 申请日期 | 2013.02.08 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 | 发明人 | 张诗玮;J·温霍尔德;P·赫斯塔德;P·特雷福纳斯 |
| 分类号 | C09D7/00(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | C09D7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈哲锋 |
| 主权项 | 一种加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括聚(苯乙烯)‑b‑聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)‑b‑聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量为25‑1000kg/mol；应用共聚物组合物的薄膜至基材的表面；任选地，烘烤薄膜；在具有氧气浓度≤7.5ppm的气态气氛下在275‑350℃加热该薄膜1秒至4小时；和，处理该退火了的薄膜以从该退火了的薄膜上除去聚(苯乙烯)和将该退火了的薄膜中的聚(二甲基硅氧烷)转换成SiOx。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||