| 发明名称 | 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在衬底的背面。本发明可以独立于材料生长过程和干法刻蚀过程实现表面等离激元与GaN基LED的耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN103325901A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201310193970.3 | 申请日期 | 2013.05.22 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 于治国;赵丽霞;魏学成;王军喜;李晋闽 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括： 一衬底； 一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上； 一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上； 一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片； 一p面电极，其制作在基片的上表面； 一n面电极，其制作在衬底的背面。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||