使用电容耦合式等离子体的半导体处理系统及方法

摘要

本发明所描述的基板处理系统具有定位于处理腔室内部的电容耦合式等离子体(CCP)单元。CCP单元可包括在第一电极与第二电极之间形成的等离子体激发区域。第一电极可包括多个第一开孔以准许第一气体进入等离子体激发区域，且第二电极可包括多个第二开孔以准许活性气体离开等离子体激发区域。系统可进一步包括气体入口及基座，气体入口用于供应第一气体至CCP单元的第一电极，基座可操作以支撑基板。基座定位在气体反应区域下方，活化气体从CCP单元前进进入气体反应区域。

主权项

一种基板处理系统，所述基板处理系统包括：电容耦合式等离子体(CCP)单元，所述电容耦合式等离子体(CCP)单元定位于处理腔室内部，其中所述CCP单元包括在第一电极与一第二电极之间形成的等离子体激发区域，且其中所述第一电极包括多个第一开孔以准许第一气体进入所述等离子体激发区域，且所述第二电极包括多个第二开孔以准许活化气体离开所述等离子体激发区域；气体入口，所述气体入口用于供应所述第一气体至所述CCP单元的所述第一电极；以及基座，所述基座可操作以支撑基板，其中所述基座定位于一气体反应区域下方，所述活化气体从所述CCP单元中前进进入所述气体反应区域。