用于高电容应用的氧化侧壁介电质的脉冲方法

摘要

本发明提供了用于制造存储单元的系统、方法和设备。本发明包括：在第一介电材料中形成特征，所述特征具有侧壁；在所述特征的侧壁上形成第一导电材料；将具有第二介电材料的层沉积至导电材料上；以及使第二介电材料接触氧化物质和紫外光，以氧化第二介电材料。本发明揭示了许多附加方面。

主权项

一种制造存储单元的方法，所述方法包含：在第一介电材料中形成特征，所述特征具有侧壁；在所述特征的所述侧壁上形成第一导电材料；将具有第二介电材料的层沉积至所述导电材料上；以及使所述第二介电材料接触氧化物质和紫外光，以氧化所述第二介电材料。