半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置

摘要

本发明提供半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置。抑制在低温区域产生异物且形成品质优良的薄膜。该半导体装置的制造方法包括下述工序：形成薄膜的工序，通过进行规定次数包含下述工序的循环而在衬底上形成至少含有上述规定元素及碳的薄膜，所述工序为对处理容器内的衬底供给含有规定元素和卤元素的原料气体的工序和对处理容器内的衬底供给胺类气体的工序；和对副产物进行改性的工序，通过向薄膜形成后的处理容器内供给氮化气体而对附着于处理容器内的副产物进行改性。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：形成薄膜的工序，通过进行规定次数包含下述工序的循环而在所述衬底上形成至少含有所述规定元素及碳的薄膜，所述工序为对处理容器内的衬底供给含有规定元素和卤元素的原料气体的工序和对所述处理容器内的所述衬底供给胺类气体的工序；和对副产物进行改性的工序，通过向所述薄膜形成后的所述处理容器内供给氮化气体而对附着于所述处理容器内的副产物进行改性。