发明名称 |
穿透式主动数组电致变色显示设备 |
摘要 |
本发明公开了一种穿透式主动数组电致变色显示设备,其主要包括:一第一电极;一第二电极;一电解质;以及一背光板。通过在第一电极与第二电极上设置至少两个主动组件,该装置的可视像素面积可以最大化并提升变色质量。 |
申请公布号 |
CN103323997A |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201210080880.9 |
申请日期 |
2012.03.23 |
申请人 |
亚树科技股份有限公司 |
发明人 |
李炳寰;田孝通;吴岩璋;田旭清 |
分类号 |
G02F1/153(2006.01)I;G02F1/155(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/153(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
王晶 |
主权项 |
一种穿透式主动数组电致变色显示设备,其特征在于,至少包括:一第一电极,其包括:一第一基板;至少两个主动组件,作为至少两个影像元素,被覆镶嵌于第一基板的表面,用以控制电致变色显示设备的电位能;一第一导体层,配置于主动组件的表面,并电耦合于主动组件;一第一半导体层,配置于第一导体层的表面;以及一电致变色团,配置于第一半导体层的表面;一第二电极,其包括:一第二基板;一第二导体层,配置于第二基板的一表面;以及一第二半导体层,配置于第二导体层的表面;一电解质,填充于第一电极与第二电极之间;以及一背光板,配置于第二基板的另一表面,用以提供可视光源;其中第一半导体层选自于二氧化钛、三氧化钨、三氧化钼、氧化锌、氧化铌、氧化铱以及二氧化锡之一者;第二半导体层通常选自于氧化钒、氧化镍、氧化铬、氧化锰、氧化铁、氧化铜、氧化铑之一。 |
地址 |
中国台湾台南市新市区南科二路12号R205室 |