发明名称 |
存储器和写入控制方法 |
摘要 |
本发明提供了存储器和写入控制方法,该存储器包括:存储器件,具有:存储层,将数据存储为磁体的磁化状态,以及磁化固定层,其磁化方向通过介于存储层与磁化固定层之间的非磁性层而固定,并且该存储器件通过当施加沿存储层和磁化固定层的堆叠方向流动的写入电流时改变存储层的磁化方向,来将数据存储在存储层中;以及电压控制单元,通过使用由两个以上的独立脉冲序列而构成的写入电压,而将由两个以上的独立脉冲序列构成的写入电流提供给该存储器件。 |
申请公布号 |
CN101930792B |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201010205846.0 |
申请日期 |
2010.06.17 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
肥后丰;细见政功;五十岚实;鹿野博司;楠真一郎;大森广之;大石雄纪;山根一阳;山元哲也;别所和宏 |
分类号 |
G11C11/15(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/15(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴孟秋 |
主权项 |
一种存储器,包括:存储器件,具有:存储层,将数据存储为磁体的磁化状态;以及磁化固定层,其磁化方向通过介于所述存储层与所述磁化固定层之间的非磁性层而固定,并且所述存储器件通过当施加沿所述存储层和所述磁化固定层的堆叠方向流动的写入电流时改变所述存储层的磁化方向,来将所述数据存储在所述存储层中;电压控制单元,通过使用由两个以上的独立脉冲序列构成的写入电压,而将由所述两个以上的独立脉冲序列构成的所述写入电流提供给所述存储器件;以及写入判定单元,在将由所述两个以上的独立脉冲序列构成的写入电流连续施加至所述存储器件时,检测所述存储层的磁化状态,其中,在所述写入判定单元检测到所述存储层的磁化状态变化的情况下,所述电压控制单元不向写入了所述数据的所述存储器件施加由之后的脉冲序列构成的所述写入电流。 |
地址 |
日本东京 |