| 发明名称 | 具有化学排序的磁性层的磁记录介质 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有化学排序的磁性层的磁记录介质，具体地提供一种薄膜结构，其具有磁性层和邻接该磁性层的籽晶层。该籽晶层包括L10结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101599275B | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN200810190890.1 | 申请日期 | 2008.11.28 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | B·卢 |
| 分类号 | G11B5/64(2006.01)I;G11B5/66(2006.01)I;H01F10/08(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 顾敏 |
| 主权项 | 一种薄膜结构，包括：具有L10结构的磁性层；邻接于该磁性层的籽晶层，该籽晶层具有L10结构和（001）取向，该籽晶层为非磁性的并具有比该磁性层更低的熔化温度；和下底层，其位置使得该籽晶层位于该下底层和磁性层之间，该下底层具有（100）取向。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||