喷淋头以及气相沉积设备

摘要

本发明公开了一种喷淋头以及气相沉积设备。所述气相沉积设备包括所述喷淋头，所述喷淋头包括喷淋头本体和位于所述喷淋头本体的下表面的一材料层，所述材料层能够吸附在MOCVD工艺中不发生反应的气体，从而在所述材料层表面形成一层气体层，所述气体层构成一保护层，以隔离反应气体的分子或反应气体分解出来的激子或离子，从而使得反应气体的分子或分解出来的激子或离子不能在所述喷淋头的下表面反应并沉积，进而减少甚至避免固体沉积物沉积于喷淋头的表面。

主权项

一种用于MOCVD工艺的喷淋头，所述MOCVD工艺为用以沉积III‑V材料的工艺，所述喷淋头包括喷淋头本体和位于所述喷淋头本体中的气体腔；所述气体腔具有多个气体管道，所述气体管道一端连接所述气体腔，所述气体管道另一端贯穿所述喷淋头本体的下表面；其特征在于，所述喷淋头本体的下表面具有一材料层，所述材料层能够吸附在MOCVD工艺中不发生反应的气体。