发明名称 一种在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线的方法
摘要 本发明具体涉及一种在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线的制备方法。其技术方案是:先将20~40wt%的含硅源物质和60~80wt%的工业级盐在行星式球磨机上混合,混合10~60分钟,再在110℃的条件下干燥12小时,制得混合粉体。然后将多孔生物炭模板置入混合粉体中,在氩气气氛和1250~1400℃条件下保温2~10小时,自然冷却,最后以水为溶剂将盐溶出,得到在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线。本发明不仅具有原料丰富、生产成本低、工艺简单和易于工业化生产的特点,且回收的盐能重复利用;用该方法在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线晶体形貌好和物相纯度高。
申请公布号 CN103318891A 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN201310284190.X 申请日期 2013.07.08
申请人 武汉科技大学 发明人 邓承继;祝洪喜;丁军;员文杰;李君;王康磊
分类号 C01B31/36(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 C01B31/36(2006.01)I
代理机构 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人 张火春
主权项 一种在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线的方法,先将20~40wt%的含硅源物质和60~80wt%的工业级盐在行星式球磨机上混合,混合10~60分钟,再在110℃的条件下干燥12小时,制得混合粉体;然后将多孔生物炭模板置入混合粉体中,在氩气气氛和1250~1400℃条件下保温2~10小时,自然冷却,最后以水为溶剂将盐溶出,得到在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线。
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