发明名称 |
半导体发光装置 |
摘要 |
本发明提供了具有高发射效率、出色的稳定性和温度性能,且产生足以用于实用的高显色性能的光的发光装置。此半导体发光装置(1)包含发射蓝光的半导体发光元件(2)、吸收所述蓝光并发射绿光的绿色荧光体(14)、和吸收所述蓝光并发射橙光的橙色荧光体(13),且其特征在于,所述橙色荧光体是具有在595至620nm的范围内的发射光谱峰波长的Eu-活化α-SiAlON荧光体。 |
申请公布号 |
CN103328608A |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201280005648.7 |
申请日期 |
2012.01.05 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
吉村健一;高桥向星;福永浩史 |
分类号 |
C09K11/64(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I |
主分类号 |
C09K11/64(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王铁军 |
主权项 |
一种半导体发光装置,所述半导体发光装置包含:发射蓝光的半导体发光元件;吸收所述蓝光而发射绿光的绿色荧光材料;吸收所述蓝光而发射橙光的橙色荧光材料,其中所述橙色荧光材料是发光光谱的峰波长在595至620nm的范围内的Eu‑活化αSiAlON荧光材料。 |
地址 |
日本大阪府大阪市阿倍野区长池町22番22号545-8522 |