一种高频响薄膜热电极温度传感器及其制备方法

摘要

本发明公开一种高频响薄膜热电极温度传感器及其制备方法，所述的高频响薄膜热电极温度传感器，包括单晶硅基底、两根温度补偿导线、采用磁控溅射法镀制而成的Cu薄膜热电极和CuNi薄膜热电极，另外还包括镀制于单晶硅基底表面上的SiO2薄膜阻挡层；所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极溅射在SiO2薄膜阻挡层上，且所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极在SiO2薄膜阻挡层上搭接形成一个热结点块；两根温度补偿导线分别用导电银胶与Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极相连。本发明的一种高频响薄膜热电极温度传感器灵敏度高，同时避免了Cu和CuNi薄膜热电极在高温测试过程中发生脱落。

主权项

一种高频响薄膜热电极温度传感器，包括单晶硅基底、两根温度补偿导线、采用磁控溅射法镀制而成的Cu薄膜热电极和CuNi薄膜热电极，其特征在于还包括SiO2薄膜阻挡层；       所述SiO2薄膜阻挡层采用磁控溅射法镀制于单晶硅基底的上表面；       所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极溅射在SiO2薄膜阻挡层上，且所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极在SiO2薄膜阻挡层上搭接形成一个热结点块；所述的两根温度补偿导线分别用导电银胶与Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极相连；所述的Cu薄膜热电极和CuNi薄膜热电极的厚度均为0.5‑2um。