| 发明名称 | 供极远紫外线光刻工艺期间使用的薄膜 | ||
| 摘要 | 本文揭示供极远紫外线光刻工艺期间使用的薄膜。揭示于本文的极远紫外线辐射装置包含：标线片、衬底支承平台、位在该标线片与该衬底支承平台之间的薄膜，其中该薄膜由至少一种单原子面材料的多个层组成；以及辐射源，其适合以约20纳米或更小的波长产生将会被导引通过该薄膜朝向该标线片的辐射。 | ||
| 申请公布号 | CN103324034A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201310093974.4 | 申请日期 | 2013.03.22 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | M·辛格 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F1/22(2012.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种极远紫外线辐射装置，其包括：标线片；衬底支承平台；位在该标线片与该衬底支承平台之间的薄膜，其中该薄膜由至少一种单原子面材料的多个层组成；以及辐射源，其适合以约20纳米或更小的波长产生将会被导引通过该薄膜朝向该标线片的辐射。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||