发明名称 |
R-T-B系烧结磁体的制造方法 |
摘要 |
本发明的R-T-B系烧结磁体的制造方法,包括:准备至少一个R-T-B系烧结磁体原材料(R为稀土元素,T为Fe或者Fe和Co)的工序;准备含有重稀土元素RH(Dy和/或Tb)和30质量%以上80质量%以下的Fe、各自的粒径超过53μm且在5600μm以下的多个RH扩散源的工序;在处理容器内配置R-T-B系烧结磁体原材料和RH扩散源的配置工序,其中,使RH扩散源中的几个与R-T-B系烧结磁体原材料接触;在处理容器内,对接触RH扩散源中的几个的状态的R-T-B系烧结磁体原材料、以及接触R-T-B系烧结磁体原材料的RH扩散源和不接触R-T-B系烧结磁体原材料的RH扩散源,在压力5000Pa以下的不活泼气氛下,在800℃以上1000℃以下的温度进行热处理的RH扩散工序;和,使RH扩散源从R-T-B系烧结磁体原材料离开的分离工序。 |
申请公布号 |
CN103329224A |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201280005903.8 |
申请日期 |
2012.01.19 |
申请人 |
日立金属株式会社 |
发明人 |
国吉太 |
分类号 |
H01F41/02(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I;B22F3/24(2006.01)I;C22C1/00(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;C22C28/00(2006.01)I;C22C33/02(2006.01)I;C22C38/00(2006.01)I;H01F1/053(2006.01)I;H01F1/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01F41/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法,其特征在于,包括:准备至少一个R‑T‑B系烧结磁体原材料的工序,其中,R为稀土元素,T为Fe或者Fe和Co;准备含有重稀土元素RH和30质量%以上80质量%以下的Fe、各自的粒径超过53μm且在5600μm以下的多个RH扩散源的工序,其中,重稀土元素RH为Dy和/或Tb;在处理容器内配置所述R‑T‑B系烧结磁体原材料和所述多个RH扩散源的配置工序,其中,使所述多个RH扩散源中的几个与所述R‑T‑B系烧结磁体原材料接触;在所述处理容器内,对接触所述多个RH扩散源中的几个的状态的所述R‑T‑B系烧结磁体原材料、以及接触所述R‑T‑B系烧结磁体原材料的RH扩散源和不接触所述R‑T‑B系烧结磁体原材料的RH扩散源,在压力5000Pa以下的不活泼气氛下,在800℃以上1000℃以下的温度进行热处理的RH扩散工序;和,在所述RH扩散工序后,使所述多个RH扩散源从所述R‑T‑B系烧结磁体原材料离开的分离工序。 |
地址 |
日本东京都 |