发明名称 |
八字形磁场产生器 |
摘要 |
本发明公开了一种八字形磁场产生器,其包含:一第一磁性结构体以及一第二磁性结构体,一第一磁场产生线圈以及一第二磁场产生线圈,第一磁场产生线圈与第二磁场产生线圈分别配置于第一磁性结构体以及第二磁性结构体的外部表面,以形成N-S二磁极;当通电于第一磁场产生线圈与第二磁场产生线圈时,得以产生一八字形磁场。 |
申请公布号 |
CN103325518A |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201210141393.9 |
申请日期 |
2012.05.09 |
申请人 |
东方先进技术开发股份有限公司;高昌电子有限公司 |
发明人 |
洪金辉 |
分类号 |
H01F7/00(2006.01)I;A61B17/58(2006.01)I;A61N1/40(2006.01)I;A61N2/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01F7/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 |
代理人 |
张秋越 |
主权项 |
一种八字形磁场产生器,其特征在于,包含:一第一磁性结构体以及一第二磁性结构体,一第一磁场产生线圈以及一第二磁场产生线圈,该第一磁场产生线圈与该第二磁场产生线圈分别配置于该第一磁性结构体以及该第二磁性结构体的外部表面,以形成N‑S二磁极;当通电于该第一磁场产生线圈与该第二磁场产生线圈时,得以产生一八字形磁场。 |
地址 |
中国台湾新北市深坑区北深路三段155巷1号9楼 |