一种ITO薄膜的制备方法

摘要

本发明适用于光电材料领域，提供了一种ITO薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：制备ITO溶胶；制备ITO薄膜。通过上述方法制备得到的ITO薄膜表面平整、颗粒致密，在可见光区的平均透过率高达90%，电阻率达到10-4级，功函数达到4.9eV，能够满足LCD、太阳能薄膜电池等领域的应用。

主权项

一种ITO薄膜的制备方法，包括以下步骤： 向含铟盐、锡盐的混合溶液中加入稳定剂、表面活性剂进行混合、陈化处理，得到ITO溶胶； 将所述ITO溶胶在基体上进行至少一次涂膜后干燥处理，然后进行退火处理，得到ITO薄膜，其中，所述退火处理的方法为：将经涂膜干燥处理后的基体在N2和H2混合气氛下于450‑700℃保温1‑2h，其中，所述N2和H2混合气氛中H2的体积分数为1～4%。