发明名称 一种快速制备高性能Mg<sub>2</sub>Si<sub>0.3</sub>Sn<sub>0.7</sub>基热电材料的新方法
摘要 本发明涉及一种快速制备高性能Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的新方法,它包括如下步骤:1)按Mg2(1+0.08)(Si0.3Sn0.7)1-ySby(0≤y≤0.025)热电材料中各原子的化学计量比进行称量,将原料粉体在研钵中混合均匀,将混合均匀的粉末压成块体;2)将所得块体置于石墨坩埚后,置于熔体旋甩急冷设备中进行熔融旋甩,得到Mg2(Si0.3Sn0.7)1-ySby带状产物;3)将Mg2(Si0.3Sn0.7)1-ySby带状产物研磨成粉末,对其进行放电等离子体活化烧结,得到高性能Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料。本发明具有节省能源、制备时间极短和工艺参数简单等特点,所得块体的热电优值ZT可达1.3。
申请公布号 CN103320636A 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN201310252012.9 申请日期 2013.06.24
申请人 武汉理工大学 发明人 唐新峰;张强;郑云;柳伟;尹康
分类号 C22C1/05(2006.01)I;H01L35/14(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I 主分类号 C22C1/05(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 唐万荣
主权项 一种快速制备高性能Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的新方法,其特征在于它包括如下步骤:1)以Mg粉、Si粉、Sn粉和Sb粉为原料,按Mg2(Si0.3Sn0.7)1‑ySby(0≤y≤0.025)热电材料中各原子的化学计量比进行称量,将原料粉体在研钵中混合均匀,将混合均匀的粉末压成块体;2)将所得块体置于石墨坩埚后,置于熔体旋甩急冷设备中进行熔融旋甩,得到Mg2(Si0.3Sn0.7)1‑ySby(0≤y≤0.025)带状产物;3)将上一步所得的Mg2(Si0.3Sn0.7)1‑ySby(0≤y≤0.025)带状产物研磨成粉末,对其进行放电等离子体活化烧结,得到高性能Mg2(Si0.3Sn0.7)1‑ySby(0≤y≤0.025)热电材料。
地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号