碳化硅的成膜装置及成膜方法

摘要

本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。

主权项

一种碳化硅的成膜装置，其特征在于，具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定上述成膜室内部的温度；多个加热机构，配置在上述成膜室的内部；输出控制部，独立地控制上述多个加热机构的各输出；基板搬送部，相对于上述成膜室的内部搬出搬入进行碳化硅的成膜处理的基板；以及基座，载放上述基板，上述输出控制部为，当对上述基板的成膜处理结束时，使上述多个加热机构中的至少一个加热机构的输出关闭或降低，当由上述温度测定部测定的温度成为上述基板搬送部能够在上述成膜室的内部动作的温度时，使关闭或降低了输出的上述加热机构中的至少一个加热机构的输出开启或上升，通过上述基板搬送部将结束了上述成膜处理的基板从上述成膜室搬出。