| 发明名称 | 封装基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种封装基板及其制造方法。封装基板包括一第一介电层、一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一第二介电层及一第四金属层。第一介电层具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽。第三凹槽位于第一凹槽及第二凹槽之间。第一金属层内埋于第一凹槽内。第二金属层内埋于第二凹槽内。第三金属层内埋于第三凹槽内。第三金属层的上表面低于第一介电层的上表面。第二介电层设置于第二凹槽内，并覆盖至少部份的第三金属层。第四金属层覆盖部份的第一介电层及第二介电层，并电性连接第一金属层及第二金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN102244060B | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201110161551.2 | 申请日期 | 2011.06.02 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 朴珠炫;洪荣文;金锡奉 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆勍 |
| 主权项 | 一种封装基板，包括：一第一介电层，具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽，该第三凹槽位于该第一凹槽及该第二凹槽之间；一第一金属层，内埋于该第一凹槽内；一第二金属层，内埋于该第二凹槽内；一第三金属层，内埋于该第三凹槽内，该第三金属层的上表面低于该第一介电层的上表面；一第二介电层，设置于该第三凹槽内，并覆盖至少部分的该第三金属层；以及一第四金属层，覆盖部分的该第一介电层及该第二介电层，并电性连接该第一金属层及该第二金属层。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 | ||