采用划磨方式去除IGBT用抛光片晶圆边缘氧化膜的方法

摘要

本发明涉及一种采用划磨方式去除IGBT用抛光片晶圆边缘氧化膜的方法，其特征在于，将专用划磨式去边机应用于抛光片晶圆边缘氧化膜处理过程，首先通过热缩机在硅片背表面粘附卷装塑料蓝膜；然后根据硅片的不同规格，用所述划磨式去边机在硅片背表面粘附的塑料蓝膜上划出不同尺寸的圆形切痕，再沿切痕把需要腐蚀的环形圆形塑料蓝膜撕掉；从而使不需要去除背封SiO2膜的部分保护起来；本发明通过划磨式去边技术，可以用于IGBT等电力电子器件用外延片的原材料衬底的制备，该方法操作简单，成本低，生产效率高，实用性强，是一种适用于大规模工业生产的去除背面SiO2膜的技术。

主权项

一种采用划磨方式去除IGBT用抛光片晶圆边缘氧化膜的方法，其特征在于，制造专用划磨式去边机，划磨式去边机由支架（1）、机轴升降定位装置（2）、机轴（3）、横杆（4）、刀架（5）、刀头（6）、真空吸盘（7）、摇柄（8）组成；机轴升降定位装置（2）安装在支架上平面；机轴升降定位装置（2）由滑梯形定位盘（21）、滑动升降卡头（22）组成，滑梯形定位盘（21）中心孔中配合安装机轴（3），机轴（3）的上部和滑动升降卡头（22）通过螺钉固定；滑动升降卡头（22）在滑梯形定位盘（21）上转动过程中沿滑道上升和下降的同时带动机轴（3）上升或下降；机轴（3）的下轴端固定横杆（4），横杆（4）的叉形开口上固定连接刀架（5）、刀架（5）上安装刀头（6），机轴（3）的上轴端固定摇柄（8）；  真空吸盘（7）置于支架（1）的下平面；当划磨式去边机处于准备工作时滑动升降卡头（22）处于滑梯形定位盘（21）的最高处； 当划磨式去边机处于工作时滑动升降卡头（22）处于滑梯形定位盘（21）的最底处； 通过机轴升降定位装置（2）控制机轴（3）的轴向位置，进而通过机轴（3）控制横杆（4）和刀架（5），刀架（5）在横杆（4）的叉形开口上可水平调节位置， 转动摇柄（8），机轴（3）带动横杆（4）、刀架（5）和刀头（6）作圆周运动，刀头（6）划切硅片背表面粘附的塑料蓝膜，刀架（5）上有螺纹调节帽（51）可上下调节刀头（6）的上下位置；通过调节刀头（6）位置来控制刀头（5）切入深度；    将划磨式去边机应用于抛光片晶圆边缘氧化膜处理过程，首先通过热缩机在硅片背表面粘附卷装塑料蓝膜；然后根据硅片的不同规格，用所述划磨式去边机在硅片背表面粘附的塑料蓝膜上划出不同尺寸的圆形切痕，再沿切痕把需要腐蚀的环形圆形塑料蓝膜撕掉；从而使不需要去除背封SiO2膜的部分保护起来；最后将其置于HF蒸汽中或是HF溶液中，去除边缘背封二氧化硅膜；所述方法包括如下步骤： 步骤1、 把经过背损伤、背封之后的腐蚀片从片蓝中取出，背封面朝下，正面朝上，将其依次粘附在卷装塑料蓝膜上； 步骤2、 待热缩机预热后，将步骤1中所形成的粘附硅片的卷装塑料蓝膜通过热缩机；步骤3、 塑料蓝膜通过热缩机的加热收缩，粘附在硅片背表面；步骤4、 按照硅片的尺寸剪断蓝膜；步骤5、 将背表面粘附蓝膜的硅片正面朝下置于划磨式去边机的卡槽上，用真空吸盘固定好；步骤6 、根据需要选择背表面SiO2膜的直径宽度，在刀头定位之后，下刀，划蓝膜；步骤7 、待刀头复位后，去真空，下片，撕掉边缘的蓝膜，留下圆形蓝膜；步骤8 、将背表面粘附蓝膜的硅片置于充满HF蒸汽的腔室或浸入HF溶液中1‑5分钟完全除去边缘的SiO2膜；步骤10、用纯水冲洗掉硅片表面残留的HF后，将硅片置于60℃以上的温水10分钟；步骤11、撕掉硅片背表面的硅片，用硅片清洗剂清洗硅片，甩干。