硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法

摘要

本发明涉及靶材生产制备领域，具体而言，涉及硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法，按配比准备金属化合物的原料；对原料进行真空熔炼处理，得到金属化合物；将金属化合物进行粉末冶金处理，得到干燥的金属化合物粉末；将干燥的金属化合物粉末进行真空热压烧结处理，得到块状的金属化合物相变材料溅射靶材。本发明所述硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法，生产一系列金属化合物相变材料。这些材料，能够实现现有的金属化合物相变材料的相变功能之外，且生产金属化合物相变材料的成本降低。而且，制成的各种金属化合物相变材料比传统的GeSbTe金属化合物相变材料熔点低，故其相变的温度点也较低，使得工艺的窗口得到拓宽。

主权项

硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法，其特征在于，所述硫族金属化合物为以下五种金属化合物中任一种：由原子百分比为52%～60%的Se，20%～24%的Sb，20%～24%的Ge组成的SeSbGe金属化合物；由原子百分比为52%～60%的S，20%～24%的Sb，20%～24%的Ge组成的SSbGe金属化合物；由原子百分比为52%～60%的Se，20%～24%的Bi，20%～24%的Ge组成的SeBiGe金属化合物；由原子百分比为52%～60%的Se，20%～24%的P，20%～24%的Ge组成的SePGe金属化合物；由原子百分比52%～60%的Se，20%～24%的Sb，20%～24%的Sn组成的SeSbSn金属化合物；该溅射靶材生产方法包括如下步骤：（A）按配比准备上述任一种金属化合物的原料；（B）对步骤（A）选取的原料进行真空熔炼处理，得到金属化合物；（C）将步骤（B）得到的金属化合物进行粉末冶金处理，得到干燥的金属化合物粉末；（D）将步骤（C）得到的干燥的金属化合物粉末进行真空热压烧结处理，得到块状的金属化合物相变材料溅射靶材。