| 发明名称 | 超结MOSFET | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超结MOSFET，本包括半导体衬底、第一导电外延层、阱区、在阱区中形成的源漏区依次邻接而成的半导体基板，以及在半导体基板上的栅氧化层区和源极接触孔，所述第一导电外延层内刻蚀有沟槽，所述沟槽内淀积有多晶硅，在淀积掺杂的多晶硅的过程中，通过调节硅源气体的流量和控制压力来调整多晶硅生长速率，所述多晶硅柱与所述第一导电外延层构成PN柱交替连接设置，在半导体基板内形成超结结构。发明制造工艺难度低，制造成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN103325825A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201210073756.X | 申请日期 | 2012.03.20 |
| 申请人 | 宁波敏泰光电科技有限公司 | 发明人 | 冯明宪;王加坤;门洪达;李东升;张伟 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 主权项 | 一种超结MOSFET，包括半导体衬底、第一导电外延层、阱区、在阱区中形成的源漏区依次邻接而成的半导体基板，以及在半导体基板上的栅氧化层区和源极接触孔，其特征在于：所述第一导电外延层内刻蚀有沟槽，所述沟槽内淀积有多晶硅，在淀积掺杂的多晶硅的过程中，通过调节硅源气体的流量和控制压力来调整多晶硅生长速率，在淀积多晶硅时，硅源气体的流量保持在50~100Nm3/h，淀积的总压力保持在50~350帕范围内，温度保持在400~800摄氏度之间，所述多晶硅填满沟槽；所述多晶硅柱与所述第一导电外延层构成PN柱交替连接设置，在半导体基板内形成超结结构。 | ||
| 地址 | 315800 浙江省宁波市北仑区新大路1069-2号C座402室 | ||