| 发明名称 | 基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列，包括：N型衬底；形成于该N型衬底之上的N型缓冲层；形成于该N型缓冲层之上的N型限制层；形成于该N型限制层之上的有源层；形成于该有源层之上的P型限制层；以及形成于该P型限制层之上的P型盖层；其中，对该P型盖层和该P型限制层进行刻蚀或腐蚀在该激光器阵列表面形成一个宽度呈啁啾变化的脊形波导阵列，该脊形波导阵列位于该激光器阵列表面中间部分的是电流注入区，位于该电流注入区两侧的是第一无源损耗区和第二无源损耗区。利用本发明，通过对注入载流子分布的调制实现基模激射，同时有效地改善水平方向的远场发散角，获得高亮度激光输出。 | ||
| 申请公布号 | CN103326243A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201310106031.0 | 申请日期 | 2013.03.29 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 郑婉华;刘磊;张斯日古楞;渠红伟;王海玲 |
| 分类号 | H01S5/40(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列，其特征在于，包括：N型衬底(101)；形成于该N型衬底之上的N型缓冲层(102)；形成于该N型缓冲层之上的N型限制层(103)；形成于该N型限制层之上的有源层(104)；形成于该有源层之上的P型限制层(105)；以及形成于该P型限制层之上的P型盖层(106)；其中，对该P型盖层(106)和该P型限制层(105)进行刻蚀或腐蚀在该激光器阵列表面形成一个宽度呈啁啾变化的脊形波导阵列，该脊形波导阵列位于该激光器阵列表面中间部分的是电流注入区(201)，位于该电流注入区(201)两侧的是第一无源损耗区(202)和第二无源损耗区(203)。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||