| 发明名称 | 大尺寸八面体立方氮化硼单晶的合成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种大尺寸八面体立方氮化硼单晶的合成方法，所述方法包括如下步骤：（1）先按照质量比1∶0.1~0.5称取原料六角氮化硼粉和触媒金属锂，经压片成形、组装获得组装块；（2）将组装块放入压机的腔体，升温升压至温度为1350℃~ 1500℃、压力为4.2GPa~5.3GPa条件下保温4~8分钟，经后处理得到八面体立方氮化硼单晶。本发明对于合成过程中的高温高压反应条件的要求相对降低，反应时间大大缩短；制得的立方氮化硼单晶，晶体生长良好，结构完整，尺寸大大提高，可达200~400μm。 | ||
| 申请公布号 | CN103320863A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201210570344.7 | 申请日期 | 2012.12.24 |
| 申请人 | 杭州师范大学 | 发明人 | 杨旭昕;叶全林 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B1/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人 | 黄美娟;俞慧 |
| 主权项 | 一种八面体立方氮化硼单晶的合成方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：（1）先按照质量比1∶0.1~0.5称取原料六角氮化硼粉和触媒金属锂，经压片成形、组装获得组装块；（2）将组装块放入压机的腔体，升温升压至温度为1350℃~ 1500℃、压力为4.2GPa~5.3GPa条件下保温4~8分钟，经后处理得到八面体立方氮化硼单晶。 | ||
| 地址 | 310036 浙江省杭州市下沙高教园区学林街16号 | ||