Ⅲ族氮化物MISHEMT器件

摘要

本发明公开了一种Ⅲ族氮化物MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、第二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第一半导体设置于源、漏电极之间，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，第一介质层设于第二半导体表面，并且与第二半导体、主栅形成半导体-绝缘层-金属接触（MIS）；第二介质层设置于第一介质层和主栅表面，将主栅和副栅形成电隔离。主栅设置于第一介质层表面靠近源电极一侧；副栅形成于第二介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。本发明能从根本上有效抑制“电流崩塌效应”。

主权项

一种Ⅲ族氮化物MISHEMT器件，包括源电极、漏电极以及异质结构，所述源电极与漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，所述异质结构包括第一半导体和第二半导体，所述第一半导体设置于源电极和漏电极之间，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，其特征在于，所述MISHEMT器件还包括主栅、绝缘介质层和副栅，其中：所述绝缘介质层包括第一介质层和第二介质层， 所述第一介质层形成于第二半导体表面，所述第二介质层形成于第一介质层和主栅表面，所述主栅设置于第一介质层表面靠近源电极一侧，并与第一介质层和第二半导体形成金属‑绝缘层‑半导体结构；所述副栅形成于第二介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠；并且，在所述MISHEMT器件工作时，所述主栅和副栅分别由一控制信号控制，且在所述MISHEMT器件处于导通状态时，所述副栅控制信号的电位高于主栅控制信号的电位。