溅射靶表面含氧量的控制系统、探针及镀ITO膜的PET板制造方法

摘要

本发明公开了溅射靶表面含氧量的控制系统、探针及镀ITO膜的PET板制造方法。溅射靶表面含氧量的控制系统包括镀ITO膜真空室、溅射靶、探针、信号处理器、氧气流量计、氧气源，镀ITO膜真空室内置溅射靶、探针，探针采用表面镀铂的钨丝，探针置于靠近溅射靶处，其通过导线引出至处于镀ITO膜真空室之外的信号处理器，信号处理器把控制信号传输至氧气流量计，氧气流量计分别与镀ITO膜真空室、氧气源连通，氧气源通过氧气流量计与镀ITO膜真空室连通。本发明溅射靶表面含氧量的控制系统能够对充氧量进行自动控制，控制氧气流量的大小，使溅射成膜的含氧量稳定，特别适用于含氧量高的ITO膜的镀制。

主权项

镀ITO膜的PET板制造方法，其特征是按如下步骤进行： 一、经硬化过的PET板装于基架，进入第一真空室，第一真空室抽真空至2×10‑2帕并加热至70度； 二、进入第二真空室镀过渡层，第二真空室抽真空至2×10‑3帕，充氧气，及充惰性气体至3×10‑1帕，并对PET板溅射二氧化硅20纳米； 三、进入第三真空室镀ITO膜，第三真空室内置溅射靶、探针，探针采用表面镀铂的钨丝，探针置于靠近溅射靶处，其通过导线引出至处于第三真空室之外的信号处理器，信号处理器把控制信号传输至氧气流量计，氧气流量计分别与第三真空室、氧气源连通，氧气源通过氧气流量计与第三真空室连通；设定作为控制氧气流量的电流及电压基准数据I=300微安、V=20伏；第三真空室抽真空至2×10‑3帕，充氧气，及充惰性气体至3×10‑1帕，通过信号处理器控制而镀ITO膜200纳米； 四、进入第四真空室冷却； 五、出炉。