蚀刻方法及装置

摘要

本发明可抑制矽蚀刻之处理不均，以提高均一性。本发明系于约大气压下，一面将含有氟化氢及臭氧之处理气体自喷出部41喷至被处理物10上，一面使包含喷出部41之处理头39相对于被处理物10左右往复或单程移动，将形成于被处理物10表面之矽蚀刻。将上述移动速度设定为特定值以上，较好的是设定为3~4 m/min以上，以使形成于被处理物10表面上之凝结层18的厚度t为特定值以下。