自我校准之沟槽金属氧化物半导体场效电晶体（ＭＯＳＦＥＴ）及其制造方法

摘要

根据一具体实施例，一沟槽金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)包括一汲极区域、复数之闸极区域其系配置位在该汲极区域上方、复数之闸极绝缘体区域分别地相关于该复数之闸极区域之一各别区域的一周围配置、复数之源极区域其系配置在介于复数之闸极绝缘体区域之间该等凹入突丘中、复数之本体区域其系配置在介于复数之闸极绝缘体区域之间该等凹入突丘中以及介于该复数之源极区域与该汲极区域之间。该MOSFET亦包括复数之本体接点区域其系配置位在该每一本体区域中与该复数之源极区域相邻、复数之源极/本体接点间隔件系配置位在介于复数之闸极绝缘体区域之间该等凹入突丘上方、一源极/本体接点其配置位在该等源极/本体接点间隔件上方、以及复数之源极/本体接点插塞其系配置位在该等源极/本体接点间隔件之间并将该源极/本体接点耦合至该复数之本体接点区域及复数之源极区域。