发明名称 一种包含凹陷部位电极的积体电路
摘要 本发明系揭露一种包含一蚀刻凹陷部位的一第一电极之积体电路。该积体电路包含一第二电极以及一电阻变化材料填充至该凹陷部位,以及耦接至该第二电极。
申请公布号 TWI409914 申请公布日期 2013.09.21
申请号 TW098103539 申请日期 2009.02.04
申请人 旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号;国际商务机器公司 美国;奇梦达北美公司 美国 发明人 陈士弘;汉普 汤玛斯;布雷杜斯克 马修J;乔瑟夫 艾瑞克
分类号 H01L21/8239 主分类号 H01L21/8239
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项
地址 美国