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发明名称
磊晶晶圆之制造方法
摘要
在藉由使原料气体在反应容器中流通而在被配置于反应容器内之矽晶圆的表面上成膜磊晶层之磊晶晶圆之制造方法中,因应于矽晶圆之电阻率,而对将矽晶圆搬入至反应容器内时的晶座之温度作调整。提供一种磊晶晶圆之制造方法,其系并不需要复杂之装置,即能够使起因于将晶圆搬入至反应容器内时所产生的晶圆之弯曲所造成的背面边缘部与晶座间之摩擦而产生的粒子、以及在矽晶圆背面边缘部处之损伤的产生降低。
申请公布号
TWI409856
申请公布日期
2013.09.21
申请号
TW098104052
申请日期
2009.02.09
申请人
胜高股份有限公司 日本
发明人
和田直之
分类号
H01L21/20
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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