| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
半导体装置系具备：平面状矽层上之柱状矽层；形成于柱状矽层之底部区域之第1n+型矽层；形成于柱状矽层之上部区域之第2n+型矽层；形成于第1及第2n+型矽层之间之通道区域周围之闸极绝缘膜；具有形成于闸极绝缘膜周围之第1金属矽化合物层之闸极电极；形成于闸极电极与平面状矽层之间的绝缘膜；形成于柱状矽层之上部侧壁之绝缘膜边壁；形成于平面状矽层之第2金属矽化合物层；及形成于第2n+型矽层上之接触部。 |
| 申请公布号 |
TWI409952 |
申请公布日期 |
2013.09.21 |
| 申请号 |
TW100118447 |
申请日期 |
2011.05.26 |
| 申请人 |
新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 新加坡 |
发明人 |
舛冈富士雄;中村广记;新井绅太郎;工藤智彦;姜禹;崔敬仁;李伊索;李翔;陈智贤;沈南胜;布里日捏兹索夫 维拉地米尔;布德哈拉久 卡维沙 戴维;星 拿伐布 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L27/092;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新加坡 |
