发明名称 |
积体电路结构的形成方法 |
摘要 |
本发明提供形成积体电路结构的方法,包含在晶圆上形成含铜晶种层,以及在含铜晶种层暴露出来的表面上进行表面残留物去除步骤,表面残留物去除步骤使用含有氟与氧的制程气体进行,然后在含铜晶种层暴露出来的表面上使用含氮气体进行还原吹净步骤,之后在含铜晶种层上电镀含铜层。 |
申请公布号 |
TWI409892 |
申请公布日期 |
2013.09.21 |
申请号 |
TW099133665 |
申请日期 |
2010.10.04 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
刘重希;林正忠;何明哲;林国诚;周孟纬 |
分类号 |
H01L21/60 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |