使用鳍式场效电晶体及具有静态随机存取记忆体（ＳＲＡＭ）之积体电路

摘要

本发明揭示一种包括一逻辑电路及一记忆体单元(21)的积体电路(10)。该逻辑电路包括一P通道电晶体(18)，且该记忆体单元包括一P通道电晶体。该逻辑电路之P通道电晶体包括一通道区。该通道区具有一沿具有(110)之一表面定向的一半导体结构之侧壁定位的部分。该通道区沿该侧壁定位之该部分具有一第一垂直尺寸，该第一垂直尺寸大于该记忆体单元之P通道电晶体的通道区之任何部分的垂直尺寸，该任何部分系沿具有(110)之一表面定向的半导体结构之一侧壁定位。