发明名称 |
具有具拉伸应变且沿着具增加之电荷载子移动率之晶向定向之通道的电晶体 |
摘要 |
藉由适当地相对于矽层之结晶特性;(crystallographic characteristic)而定向通道长度方向,应变矽/碳材料之应力引发效果在与传统的技术相比较可有明显的增进。在一个例示实施例中,该通道可沿着<100>方向予以定向以用于(100)表面定向,因此提供了大约1/4的电子移动率的增加。 |
申请公布号 |
TWI409949 |
申请公布日期 |
2013.09.21 |
申请号 |
TW096114197 |
申请日期 |
2007.04.23 |
申请人 |
高级微装置公司 美国 |
发明人 |
皮都斯 依钩;坎姆勒 索斯顿;韦 安迪 |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |