半导体表面粗糙化方法

摘要

一种半导体表面粗糙化方法，此方法是先提供基板，在基板上依序形成第一型掺杂半导体层、发光层、将气压范围定为300至700毫巴(mbar)，预定温度范围定为摄氏850至1200度，在发光表面上沉积形成第二型掺杂半导体层。之后，于此预定气压范围与预定温度范围内，通入蚀刻气体与钝化气体至第二型掺杂半导体层表面达预定时间10至120分钟，以完成第二型掺杂半导体层表面之凹凸构造。