制造具有不同高度接触线之高密集度ＭＯＳＦＥＴ电路的结构与方法

摘要

本发明之具体实施例系提供制造具有不同高度接触线之高密集度MOSFET电路的结构与方法等等。此MOSFET电路包含接触线，位于靠近接触线之第一闸极层和至少一后续的闸极层于此第一闸极层上方。此接触线包含一高度，且此高度低于此第一闸极层和后续的闸极层之结合高度。此MOSFET电路更包含位于靠近闸极层之闸极间隙壁和靠近接触线之单一接触线间隙壁。此闸极间隙壁比接触线间隙壁要高且较厚。