静电放电保护之架构

摘要

一种半导体装置包括一第一导电之一第一井区、一第二导电类型之一第二井区、位于第一井区内之第二导电类型之一源极区以及一第二导电类型之一汲极区，且一部分系位于第二井区内。与第一井区接触之一井系耦接至源极区。第一导电类型之第三掺杂区与第二导电类型之一第四掺杂区系配置于第二井区中。一第一电晶体包括第三掺杂区、第二井区与第一井区。第一电晶体系电性耦接置一切换装置。一第二电晶体包括第二井区、第一井区与源极区。第一与第二电晶体系配置为在一静电放电事件期间提供一电流路径。