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<p>Eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie dient zur Führung von Beleuchtungslicht (16) hin zu einem Beleuchtungsfeld, in dem eine Lithografiemaske anordenbar ist. Die Beleuchtungsoptik hat einen ersten Facettenspiegel mit einer Mehrzahl von Einzelspiegeln (26). Diese geben Ausleuchtungskanäle (43) zur Führung von Beleuchtungslicht-Teilbündeln (16i) hin zum Beleuchtungsfeld vor. Ein zweiter Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik ist dem ersten Facettenspiegel nachgeordnet und hat eine Mehrzahl von Facetten (34). Diese tragen jeweils zur Abbildung einer Gruppe (24a) der Einzelspiegel (26) des ersten Facettenspiegels in das Objektfeld über einen Gruppenspiegel-Ausleuchtungskanal (35) bei. Dieser umfasst die Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle (43) der Einzelspiegel-Gruppe (24a). Bilder der verschiedenen Einzelspiegel-Gruppen (24a) überlagern einander über die zugeordneten Gruppenspiegel-Ausleuchtungskanäle (35) im Objektfeld (5). Die Einzelspiegel (26) der Einzelspiegel-Gruppen (24a) sind so angeordnet, dass Abbildungsfehler, die abhängig von der jeweiligen Zuordnung der Einzelspiegel-Gruppen (24a) des ersten Facettenspiegels zu den Facetten (34) des zweiten Facettenspiegels bei der Abbildung der Einzelspiegel-Gruppen (24a) in das Objektfeld auftreten, zumindest teilweise kompensiert werden. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, mit der eine optimierte Überlagerung des über verschiedene Ausleuchtungskanäle geführten Beleuchtungslichts im Beleuchtungsfeld geschaffen ist.</p> |
