Vorrichtung zur Bewertung der Kristallinität eines Halbleiters und Verfahren zur Bewertung der Kristallinität eines Halbleiters

摘要

Bei der Vorrichtung zur Bewertung der Kristallinität eines Halbleiters und dem Verfahren zur Bewertung der Kristallinität eines Halbleiters gemäß der vorliegenden Erfindung handelt es sich um eine Vorrichtung. und ein Verfahren zur Bewertung der Kristallinität eines Halbleiterfilms auf der Basis des μ-PCD-Verfahrens. Bei der Bewertung der Kristallinität des Halbleiterfilms ist eine Dielektrikumplatte mit einer vorgegebenen Dicke auf der Oberfläche des Halbleiterfilms auf der Seite angeordnet, auf der ein Anregungslicht und eine elektromagnetische Welle eingestrahlt werden. Wenn die Kristallinität eines Halbleiterfilms auf der Basis des μ-PCD-Verfahrens bewertet wird, erlauben daher die Vorrichtung zur Bewertung der Kristallinität eines Halbleiters und das Verfahren zur Bewertung der Kristallinität eines Halbleiters die Bewertung der Kristallinität des Halbleiterfilms selbst dann, wenn ein leitender Film unter dem Halbleiterfilm ausgebildet ist, da die Dielektrikumplatte angeordnet ist.