发明名称 Selective Atomic Layer Depositions
摘要 Provided are methods of selectively depositing an atomic layer deposition film on a substrate having two different surfaces. Also provided are methods of depositing TaN selectively onto a dielectric material versus a metal surface.
申请公布号 US2013243956(A1) 申请公布日期 2013.09.19
申请号 US201213420146 申请日期 2012.03.14
申请人 MA PAUL F.;APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 MA PAUL F.
分类号 C23C16/06;C23C16/455 主分类号 C23C16/06
代理机构 代理人
主权项
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