发明名称 Flächenlichtquelle
摘要 In mindestens einer Ausführungsform umfasst die Flächenlichtquelle (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P) und einen Strahlungsextraktor (3), der dem Halbleiterchip (2) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (x) nachgeordnet ist. Ein organisches Konversionsmittel (5) der Flächenlichtquelle (1) ist zur teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Primärstrahlung (P) in eine hiervon verschiedene Sekundärstrahlung (S) eingerichtet. Dem Strahlungsextraktor (3) ist ein als Festkörper geformter, strahlungsdurchlässiger Lichtverteiler (4) optisch nachgeordnet. Der Strahlungsextraktor (3) befindet sich in einer Ausnehmung (43) in dem Lichtverteiler (4) und zwischen dem Lichtverteiler (4) und dem Strahlungsextraktor (3) befindet sich mindestens ein gasgefüllter oder evakuierter Trennspalt (6).
申请公布号 DE102012102122(A1) 申请公布日期 2013.09.19
申请号 DE201210102122 申请日期 2012.03.13
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 SABATHIL, MATTHIAS;MALM, NORWIN VON
分类号 H01L33/50;F21V9/10;H01L25/075;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/64 主分类号 H01L33/50
代理机构 代理人
主权项
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