发明名称 |
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP |
摘要 |
<p>In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) einen Träger (2) sowie einen Bragg-Spiegel (3) mit mindestens einer ersten Teilschicht (31) und mit mindestens einer zweiten Teilschicht (32). Eine auf Galliumnitrid basierende, funktionale Halbleiterschichtenfolge (6) ist auf dem Bragg-Spiegel (3) aufgebracht und beinhaltet mindestens eine aktive Schicht (60) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung. Der Bragg-Spiegel (3) ist auf dem Träger (2) aufgebracht. Die ersten Teilschichten (31) des Bragg-Spiegels (3) umfassen ein Metallnitrid oder ein III-Nitrid oder bestehen hieraus.</p> |
申请公布号 |
WO2013135526(A1) |
申请公布日期 |
2013.09.19 |
申请号 |
WO2013EP54362 |
申请日期 |
2013.03.05 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
HERTKORN, JOACHIM;ENGL, KARL;WEIMAR, ANDREAS |
分类号 |
H01L33/10;H01L33/46 |
主分类号 |
H01L33/10 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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