| 摘要 |
<p>Eine Halbleiterstruktur umfasst eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine photoempfindliche Zone, die ausgebildet ist, so dass photogenerierte Ladungen in einem ersten Potentialtopf gesammelt werden können, ein in der Halbleiterschicht gebildetes Gebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps zur Zwischenspeicherung der photogenerierten Ladungen in einem zweiten Potentialtopf, ein Transfergate zwischen dem Gebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps und der photoempfindlichen Zone zur Definition einer Potentialbarriere zwischen dem ersten und dem zweiten Potentialtopf in einer Nicht-Transfer-Phase und Aufhebung der Potentialbarriere zwischen dem ersten und dem zweiten Potentialtopf in einer Transferphase, und eine Auslesestruktur zum Auslesen der zwischengespeicherten photogenerierten Ladungen, die einen JFET umfasst, dessen Gate durch das Gebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet ist.</p> |
