| 发明名称 |
Halbleiterbauelement |
| 摘要 |
<p>Beschrieben werden Ausführungsbeispiele eines vertikalen Leistungstransistors, der Drain- und Gateanschlüsse aufweist, die auf derselben Seite eines Halbleiterkörpers angeordnet sind und der dazu ausgebildet ist, im Aus-Zustand hohen Spannungen zu widerstehen, insbesondere Spannungen von mehr als 100 V.</p> |
| 申请公布号 |
DE102013204252(A1) |
申请公布日期 |
2013.09.19 |
| 申请号 |
DE201310204252 |
申请日期 |
2013.03.12 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG |
发明人 |
HIRLER, FRANZ;MEISER, ANDREAS |
| 分类号 |
H01L29/10;H01L21/762;H01L23/52;H01L27/088;H01L27/105;H01L29/78;H01L29/808 |
主分类号 |
H01L29/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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